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嵌入铁电的RFID LSI|富士通MB97R8110-WF

更新时间:2023-09-14 09:32:33
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详细介绍

FRAM嵌入式RFID LSI,MB97R8110-WF数据写入速度快、无限次擦写

 

FeRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大,数据写入速度快。如果我们的RFID LSI用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史,则可以缩短生产时间。此外,一些 RFID LSI产品具有无线和SPI 的双接口。该产品可以通过 SPI接口进行快速处理,并且可以在断电期间使用无线接口读取重要数据。

MB97R8110 ,UHF band 860 to 960MHz ,8Kbyte容量 ,通讯规格 ISO/IEC18000-63EPC C1G2Ver.1.2.0

 

 

MB97R8110-WF,FeRAM嵌入式超高频RFID LSI无电池解决方案。

载波频率:860 ~ 960mhz

R/W→标签:26.7 kbps到128 kbps(假设等概率数据)

标签→带宽:40kbps ~ 640kbps

•射频生成电源提供给外部设备(3.0V 600uA输出+8dBm射频输入)

•串行接口(SPI)

从模式操作:用户内存区域可以通过SPI读写。

主模式操作:外部SPI从设备可以通过SPI控制。

-由SPIREQ和SPIACK控制的RF和SPI访问之间的仲裁功能。

•密钥矩阵扫描接口

•FeRAM:具有高速读写的非易失性存储器

-用户银行大小:61440位*

-EPC长度:Zui多480位

-BlockPermalock: 8个USER bank区域写入保护,单位为512个字(= 8192比特)。

—读写耐力:10万亿次。

-内存数据保留:10年(+85ºC)

*在SPI Master通信中,可以分配28,672位内存作为数据缓冲区

传输到外部从设备和存储响应数据从外部SPI从设备。

 

Ordering Information

Part Number Shipping Method Wafer thickness

MB97R8110-WF Wafer 725μm±20μm

MB97R8110-DI15 Sawn wafer 150μm±22.54μm

MB97R8110-CHIP15 Chip (in Waffle pack) 150μm±22.54μm

没有

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